--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介(ISL9N318AD3ST-VB)
ISL9N318AD3ST-VB 是一款高性能的N型功率MOSFET,采用TO-252封裝,專(zhuān)為中低電壓高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件能夠承受高達(dá)30V的漏源電壓(VDS),并具有±20V的柵源電壓(VGS)范圍。其閾值電壓(Vth)為1.7V,具備較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 9mΩ @ VGS=4.5V 和 RDS(ON) = 7mΩ @ VGS=10V),能夠在高達(dá)70A的最大漏極電流(ID)下提供卓越的能效。該MOSFET 采用先進(jìn)的溝槽型技術(shù)(Trench),特別適用于要求高功率和高效率的應(yīng)用場(chǎng)合。
---
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
1. **封裝類(lèi)型**: TO-252
2. **配置**: 單通道N型MOSFET
3. **漏源電壓 (VDS)**: 30V
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
5. **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
7. **最大漏極電流 (ID)**: 70A
8. **技術(shù)類(lèi)型**: 溝槽型(Trench)技術(shù)
9. **最大功耗 (Ptot)**: 根據(jù)散熱情況,通常在35W左右。
10. **工作溫度范圍**: -55°C 到 +150°C
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### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
1. **電源管理系統(tǒng)**: ISL9N318AD3ST-VB 非常適合用于高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器,作為主要開(kāi)關(guān)元件。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力有助于提升轉(zhuǎn)換效率,廣泛應(yīng)用于電源適配器、服務(wù)器電源及工業(yè)電源模塊。
2. **電動(dòng)工具與家電**: 在電動(dòng)工具和家電中,該MOSFET 可以有效驅(qū)動(dòng)電機(jī)。其高電流能力確保設(shè)備在高負(fù)載條件下的平穩(wěn)運(yùn)行,提升產(chǎn)品的可靠性和性能。
3. **LED照明驅(qū)動(dòng)**: ISL9N318AD3ST-VB 適用于大功率LED驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。其超低導(dǎo)通電阻有助于減少能量損失,確保LED光源的穩(wěn)定輸出,廣泛應(yīng)用于商業(yè)照明和景觀照明中。
4. **電池管理與充電系統(tǒng)**: 該MOSFET 可用于電池管理系統(tǒng),提供有效的充電和放電控制,確保電池的安全性和高效性。特別是在電動(dòng)車(chē)和可再生能源存儲(chǔ)系統(tǒng)中,ISL9N318AD3ST-VB 提供了高效的電流控制解決方案。
ISL9N318AD3ST-VB 的卓越性能和多樣的應(yīng)用潛力使其在各種高電流、低電壓的環(huán)境中表現(xiàn)出色,滿(mǎn)足不同領(lǐng)域的需求。
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