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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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JCS730R-O-R-N-A-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: JCS730R-O-R-N-A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 700mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介:JCS730R-O-R-N-A-VB  
JCS730R-O-R-N-A-VB是一款高性能單N溝道功率MOSFET,封裝形式為TO252,專為高電壓應用設計。該器件的最大漏源電壓(VDS)為650V,適合用于各種電源管理和開關控制電路。其柵極閾值電壓(Vth)為3.5V,導通電阻(RDS(ON))在VGS為10V時為700mΩ,最大漏極電流(ID)為7A。采用SJ_Multi-EPI技術,JCS730R提供了優(yōu)異的開關性能和高效能,使其在各種工業(yè)和消費電子應用中表現出色。

### 詳細參數說明:
1. **封裝**:TO252  
  - TO252封裝具有較小的體積和良好的熱管理性能,適合高功率和緊湊空間應用。

2. **配置**:單N溝道  
  - 單N溝道結構優(yōu)化了導通特性,適合各種電源和開關應用。

3. **漏源電壓(VDS)**:650V  
  - 最大漏源電壓達到650V,適合高電壓環(huán)境下的應用。

4. **柵源電壓(VGS)**:±30V  
  - 允許的柵源電壓范圍為±30V,增強了器件的靈活性和可靠性。

5. **柵極閾值電壓(Vth)**:3.5V  
  - 柵極閾值電壓相對較低,支持快速導通,提升了系統的響應速度。

6. **導通電阻(RDS(ON))**:700mΩ @ VGS=10V  
  - 在10V柵壓下,導通電阻較低,有助于降低功率損耗,提升整體能效。

7. **漏極電流(ID)**:7A  
  - 最大連續(xù)漏極電流為7A,適合中等電流負載的應用,確保器件在不同條件下的可靠性。

8. **技術**:SJ_Multi-EPI  
  - SJ_Multi-EPI技術增強了器件的性能,能夠在高電壓和高電流條件下穩(wěn)定運行。

### 應用領域和模塊:
1. **電源轉換器**:  
  JCS730R-O-R-N-A-VB適用于高壓DC-DC轉換器,能夠高效地將輸入電壓轉換為所需輸出電壓,滿足各種電源管理需求。

2. **電動工具**:  
  在電動工具中,該MOSFET可用于電機驅動和控制,提供穩(wěn)定的電流輸出,確保電動工具在負載變化時的可靠性能。

3. **照明系統**:  
  該器件可以用于LED照明和其他高壓照明應用,作為開關元件提供高效的電流控制,保證照明系統的穩(wěn)定性和能效。

4. **工業(yè)自動化設備**:  
  JCS730R非常適合用于工業(yè)自動化設備中的電源管理系統,能夠在高電壓條件下穩(wěn)定工作,支持各種控制和監(jiān)測功能。

通過其優(yōu)越的性能,JCS730R-O-R-N-A-VB在多種電源和控制應用中展現出極大的靈活性和可靠性,滿足現代電氣設備對高效率和高安全性的需求。

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