--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 1.6mΩ@VGS=10V
- ID 120A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、K100S04N1L-VB 產(chǎn)品簡介
K100S04N1L-VB 是一款高效的單 N-溝道 MOSFET,專為高電流和中等電壓應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓 (VDS) 為 40V,能夠承受高達 ±20V 的柵源電壓 (VGS)。該器件采用 TO252 封裝,提供優(yōu)異的散熱性能和良好的電氣特性。其閾值電壓 (Vth) 為 3V,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 4.5V 柵壓下為 3mΩ,在 10V 柵壓下為 1.6mΩ,確保在高負載條件下具有極低的功耗。K100S04N1L-VB 采用 Trench 技術(shù),提供卓越的導(dǎo)電性能和開關(guān)速度,廣泛應(yīng)用于電源管理和高功率電路。
### 二、K100S04N1L-VB 詳細參數(shù)說明
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
| ------------------------ | ---------------------- |
| **型號** | K100S04N1L-VB |
| **封裝類型** | TO252 |
| **配置** | 單 N-溝道 |
| **最大漏源電壓 (VDS)** | 40V |
| **最大柵源電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 3V |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 3mΩ @ VGS=4.5V |
| | 1.6mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏極電流 (ID)** | 120A |
| **技術(shù)類型** | Trench |
| **工作溫度范圍** | -55°C 至 150°C |
### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理系統(tǒng)**
K100S04N1L-VB 非常適合用于高效的電源管理系統(tǒng),尤其是在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源適配器中。由于其極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,可以顯著提高系統(tǒng)的效率,降低熱損耗。
2. **電機驅(qū)動電路**
該 MOSFET 能夠高效驅(qū)動電機,適用于各種電動機控制應(yīng)用,如無刷直流電機和步進電機控制。其高電流承載能力和快速開關(guān)性能,使其成為工業(yè)自動化和機器人技術(shù)中的理想選擇。
3. **電動汽車**
K100S04N1L-VB 在電動汽車的動力管理系統(tǒng)中也有廣泛應(yīng)用。其高耐壓和大電流特性使其能夠在電池管理系統(tǒng)和電機驅(qū)動系統(tǒng)中提供出色的性能,確保電動汽車的高效運行。
4. **LED照明驅(qū)動**
由于其卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗,K100S04N1L-VB 適用于 LED 照明驅(qū)動電路。能夠高效控制 LED 的工作狀態(tài),提升整體照明系統(tǒng)的能效。
5. **消費電子產(chǎn)品**
在各種消費電子產(chǎn)品中,如計算機電源、家用電器等,K100S04N1L-VB 可用于電源開關(guān)和信號調(diào)節(jié)電路。其高可靠性和穩(wěn)定性使其成為這些應(yīng)用中的理想選擇,提升產(chǎn)品的性能和用戶體驗。
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