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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K1254STL-E-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K1254STL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1254STL-E-VB 產(chǎn)品簡介

K1254STL-E-VB 是一款高效能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為中等電壓和高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓 (VDS) 為 100V,適用于多種電源管理和開關(guān)電路。K1254STL-E-VB 的門限電壓 (Vth) 為 1.8V,使其在較低的柵源電壓下即可快速導(dǎo)通,從而提升開關(guān)效率。該 MOSFET 在 VGS 為 10V 時(shí)的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 僅為 114mΩ,支持最大 15A 的漏極電流 (ID),使其能夠高效地處理功率轉(zhuǎn)換。憑借其 Trench 技術(shù),K1254STL-E-VB 在高功率應(yīng)用中提供卓越的性能與熱管理,適合高要求的電力電子應(yīng)用。

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### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: K1254STL-E-VB  
- **封裝**: TO252  
- **配置**: 單 N 溝道 MOSFET  
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **門限電壓 (Vth)**: 1.8V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 114mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 15A  
- **技術(shù)類型**: Trench  
- **最大功耗 (PD)**: 42W  
- **熱阻 (RθJC)**: 3.0°C/W  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  

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### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說明

1. **電源管理系統(tǒng)**: K1254STL-E-VB 在開關(guān)電源 (SMPS) 和電源適配器中表現(xiàn)出色,提供穩(wěn)定的電壓輸出和高效的功率轉(zhuǎn)換,適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備的電源模塊,確保設(shè)備高效運(yùn)行。

2. **電動機(jī)驅(qū)動**: 此 MOSFET 可用于直流電動機(jī)和步進(jìn)電動機(jī)的驅(qū)動電路中,支持高達(dá) 15A 的電流輸出,非常適合家用電器、機(jī)器人和自動化設(shè)備的控制,保證了驅(qū)動電路的可靠性和性能。

3. **LED 照明**: K1254STL-E-VB 在 LED 驅(qū)動電路中提供了優(yōu)越的電流控制能力,確保 LED 燈具的高效能和長壽命,適用于商業(yè)和住宅照明應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)節(jié)能與環(huán)保。

4. **逆變器**: 該 MOSFET 適用于逆變器設(shè)計(jì),能夠高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,廣泛應(yīng)用于可再生能源系統(tǒng),如太陽能逆變器和風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng),提高能源利用率。

5. **高頻開關(guān)電路**: K1254STL-E-VB 的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其適合高頻開關(guān)應(yīng)用,廣泛用于通信設(shè)備和數(shù)據(jù)中心電源管理,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)作和快速響應(yīng),提升整體性能和可靠性。

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