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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K2018-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2018-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K2018-VB 產(chǎn)品簡介
K2018-VB 是一款高效的 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封裝,專為需要高導(dǎo)通能力和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓 (VDS) 為 60V,適用于多種低到中等電壓的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。該器件的閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,使其能夠在較低的柵極電壓下啟動(dòng),提供良好的開關(guān)性能。

K2018-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 4.5V 時(shí)達(dá)到 85mΩ,VGS 為 10V 時(shí)則為 73mΩ,這使得它在高電流情況下能夠有效地減少功耗和熱量。該 MOSFET 的額定漏電流 (ID) 為 18A,能夠滿足多種高功率應(yīng)用的需求,確保系統(tǒng)的高效與可靠。

### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **VDS**: 60V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 
 - 85mΩ @ VGS = 4.5V
 - 73mΩ @ VGS = 10V
- **ID**: 18A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
K2018-VB 由于其優(yōu)異的電氣特性,廣泛應(yīng)用于多種電子設(shè)備中。例如,在開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,它可作為高效的開關(guān)元件,有效地提高能量轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗。在移動(dòng)設(shè)備和便攜式充電器中,K2018-VB 的低導(dǎo)通電阻使其成為電源管理的理想選擇,能夠提供穩(wěn)定的電壓和電流。

在汽車電子領(lǐng)域,K2018-VB 可用于電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)中,控制電池充放電過程,以確保高效的能源使用和安全性。此外,它也可用于家電產(chǎn)品中,例如冰箱和洗衣機(jī)的控制電路,以實(shí)現(xiàn)更高效的電源管理。

總結(jié)來說,K2018-VB 適用于低壓高電流的應(yīng)用場(chǎng)合,其在多個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用體現(xiàn)了其性能優(yōu)勢(shì)和靈活性,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備日益增長的能效要求。

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