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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K2231Q-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K2231Q-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K2231Q-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:

K2231Q-VB 是一款高效能的 **單N溝道** MOSFET,采用 **TO252** 封裝,適合多種中等電壓應用。這款 MOSFET 的 **漏源電壓 (VDS)** 可達 60V,適用于對電壓有一定要求的場合。其門源電壓 (VGS) 額定為 ±20V,確保在工作時的穩(wěn)定性和安全性。閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,使得該 MOSFET 能夠在較低的門電壓下迅速開啟。在 VGS=4.5V 時,**導通電阻 (RDS(ON))** 為 85mΩ,而在 VGS=10V 時為 73mΩ,能夠有效減少開關損耗,最大漏電流可達 18A。采用 **Trench** 技術,K2231Q-VB 在高頻開關應用中表現(xiàn)優(yōu)越,非常適合用于電源管理和驅動電路。

---

### 詳細參數(shù)說明:

- **型號**:K2231Q-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **門源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS=4.5V
 - 73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:18A
- **技術**:Trench
- **工作溫度**:通常在廣泛的溫度范圍內(nèi)額定。

---

### 應用領域和模塊示例:

K2231Q-VB 特別適用于多種中等電壓和高效率應用,以下是一些具體應用示例:

1. **DC-DC 轉換器**:K2231Q-VB 在 DC-DC 轉換器中廣泛應用,適合用作開關元件,能夠在高效率下實現(xiàn)電壓轉換,滿足電源管理系統(tǒng)的需求。

2. **LED 驅動電路**:該 MOSFET 可用于 LED 驅動應用,通過精確控制 LED 的電流,實現(xiàn)高效的亮度調(diào)節(jié),適合用于商業(yè)和家庭照明。

3. **電池充電器**:在電池管理系統(tǒng)中,K2231Q-VB 可用于實現(xiàn)高效的充放電控制,提高充電速度和電池使用效率,適合在便攜式電子設備中使用。

4. **小型電機驅動**:該 MOSFET 也適用于小型電機控制,如風扇和玩具等,通過高頻開關實現(xiàn)精確的電機控制。

憑借其優(yōu)秀的性能和出色的 Trench 技術,K2231Q-VB 是多種電源管理和驅動電路中的理想選擇,能夠提高整體系統(tǒng)的效率和可靠性。

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