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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K2925STL-E-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2925STL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K291TL-E-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K291TL-E-VB 是一款高效能單 N 溝道功率 MOSFET,采用現(xiàn)代 TO263 封裝,設(shè)計(jì)用于要求高電流和低功耗的應(yīng)用。該器件的漏源極電壓 (VDS) 可達(dá)到 60V,最大漏極電流 (ID) 高達(dá) 75A,適用于多種工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備。憑借其優(yōu)越的 Trench 技術(shù),K291TL-E-VB 提供極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),在 VGS=10V 時(shí)為 11mΩ,在 VGS=4.5V 時(shí)為 12mΩ,顯著降低了功率損耗,從而提高了系統(tǒng)的能效和散熱性能。

### 二、K291TL-E-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 12mΩ @ VGS=4.5V
 - 11mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 75A
- **技術(shù)**: Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說明
K291TL-E-VB 的優(yōu)越性能使其在多個(gè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力,以下是一些典型應(yīng)用示例:

1. **高效電源轉(zhuǎn)換**:  
  在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,K291TL-E-VB 能夠提供高效的電流控制,降低能量損耗,確保輸出電壓穩(wěn)定,為各種電子設(shè)備供電。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用**:  
  該 MOSFET 適用于電動(dòng)機(jī)控制,尤其是在需要高啟動(dòng)電流的應(yīng)用中,如電動(dòng)車輛、電動(dòng)工具和工業(yè)機(jī)械,能夠保證設(shè)備在高負(fù)載情況下的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **LED 照明系統(tǒng)**:  
  K291TL-E-VB 可用于驅(qū)動(dòng)高功率 LED 照明解決方案,能夠快速響應(yīng)調(diào)光需求,并且在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,以實(shí)現(xiàn)高效的照明效果。

4. **充電器與適配器**:  
  由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,K291TL-E-VB 適合用作移動(dòng)設(shè)備和筆記本電腦充電器中的開關(guān)元件,能實(shí)現(xiàn)快速充電,同時(shí)降低熱量產(chǎn)生。

K291TL-E-VB 是一款卓越的功率 MOSFET,設(shè)計(jì)旨在滿足現(xiàn)代高電流、低電壓應(yīng)用的需求,為設(shè)計(jì)師提供靈活的解決方案。

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