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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K3992-ZK-E2-AZ-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3992-ZK-E2-AZ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K3992-ZK-E2-AZ-VB 產(chǎn)品簡介
K3992-ZK-E2-AZ-VB 是一款高性能的N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為需要高電流和低導通電阻的應(yīng)用而設(shè)計。該器件具有較高的漏源電壓 (VDS) 達到30V,適合用于中等電壓的功率管理和轉(zhuǎn)換應(yīng)用。K3992-ZK-E2-AZ-VB 采用了先進的Trench技術(shù),使得該器件在小體積下能夠承受高達100A的漏極電流(ID),并且在VGS=10V時,導通電阻(RDS(ON))低至2mΩ。這種高效的電氣特性使其在各種功率電子應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別是在高效能和低熱量散發(fā)的設(shè)計中。

### 二、K3992-ZK-E2-AZ-VB 參數(shù)說明
- **封裝形式**:TO252
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:100A
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)

### 三、適用領(lǐng)域和模塊
1. **電源管理**:K3992-ZK-E2-AZ-VB 特別適用于電源管理模塊,如DC-DC轉(zhuǎn)換器。其低導通電阻和高電流承載能力能夠有效提高轉(zhuǎn)換效率,減少能量損失,進而實現(xiàn)更小的散熱需求。

2. **電動機驅(qū)動**:該MOSFET 可用于電動機控制和驅(qū)動電路,尤其是在高功率直流電動機和步進電動機的控制中,能夠提供穩(wěn)定的電流和快速的開關(guān)響應(yīng)。

3. **LED照明驅(qū)動**:在LED驅(qū)動電路中,K3992-ZK-E2-AZ-VB 可作為開關(guān)元件,幫助實現(xiàn)高效的電流調(diào)節(jié),確保LED照明系統(tǒng)的長壽命和高效能。

4. **消費電子設(shè)備**:在筆記本電腦、智能手機及其他消費電子產(chǎn)品中,該MOSFET 可以用作電源開關(guān),幫助提高設(shè)備的整體能效和性能。

K3992-ZK-E2-AZ-VB 在這些領(lǐng)域的應(yīng)用,確保了高效能、低能耗和優(yōu)越的散熱性能,滿足現(xiàn)代電力電子技術(shù)的需求。

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