**一、K973-VB產(chǎn)品簡介：**
K973-VB是一款高效能的單通道N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為中等電壓和高電流應用設計。該器件的最大漏源電壓（VDS）為60V，柵源電壓（VGS）為±20V，閾值電壓（Vth）為1.7V。在柵源電壓為4.5V和10V的條件下，其導通電阻（RDS(ON)）分別為85mΩ和73mΩ，最大漏極電流（ID）為18A。K973-VB采用Trench技術，具備優(yōu)秀的開關特性和熱性能，非常適合用于高頻和高效率的電源管理應用。
**二、K973-VB詳細參數(shù)說明：**
1. **封裝類型**：TO252
2. **配置**：單N溝道
3. **最大漏源電壓（VDS）**：60V
4. **柵源電壓（VGS）**：±20V
5. **閾值電壓（Vth）**：1.7V
6. **導通電阻（RDS(ON)）**：
- 85mΩ @ VGS=4.5V
- 73mΩ @ VGS=10V
7. **最大漏極電流（ID）**：18A
8. **最大功耗（Ptot）**：45W
9. **工作溫度范圍**：-55°C至150°C
10. **技術**：Trench技術，適合高頻和高效應用
11. **最大脈沖漏極電流（IDM）**：30A
**三、應用領域和模塊：**
1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**：K973-VB非常適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中，特別是在降壓轉(zhuǎn)換器和升壓轉(zhuǎn)換器電路中。其低導通電阻和高電流承載能力能夠提高能效，降低熱損耗。
2. **電源管理系統(tǒng)**：在電源管理模塊中，該MOSFET可用于開關電源（SMPS）、適配器和電池充電器等應用。其高效的開關特性和良好的熱性能使其能夠滿足現(xiàn)代電子設備對高效能和小型化的要求。
3. **電動汽車**：K973-VB在電動汽車及其充電系統(tǒng)中也得到了廣泛應用。由于其高電流和耐壓性能，該MOSFET可以在電機驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)中實現(xiàn)高效的能量傳輸和轉(zhuǎn)換。
4. **LED驅(qū)動電路**：該MOSFET適用于LED照明應用，包括LED驅(qū)動電路和智能照明系統(tǒng)。通過對LED進行高效控制，K973-VB能夠提高照明系統(tǒng)的能效和可靠性。
K973-VB憑借其卓越的電氣性能和廣泛的應用適用性，成為現(xiàn)代電源管理和高效能系統(tǒng)中的理想選擇，滿足各類高頻和高效應用的需求。