**產(chǎn)品簡(jiǎn)介**
LNG10R180-VB 是一款采用 TO252 封裝的單N溝道功率MOSFET，具有較高的耐壓和低導(dǎo)通電阻。該器件的漏源電壓（VDS）為100V，柵源電壓（VGS）為±20V，導(dǎo)通閾值電壓（Vth）為1.8V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在VGS=10V時(shí)為18mΩ，最大漏極電流（ID）可達(dá)45A。它采用了先進(jìn)的溝槽（Trench）技術(shù)，具備高效的電流處理能力和低開(kāi)關(guān)損耗，是高性能電源管理應(yīng)用的理想選擇。
**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明**
1. **封裝類(lèi)型**：TO252
2. **器件配置**：?jiǎn)蜰溝道
3. **漏源電壓（VDS）**：100V
4. **柵源電壓（VGS）**：±20V
5. **導(dǎo)通閾值電壓（Vth）**：1.8V
6. **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：18mΩ（在VGS=10V時(shí)）
7. **最大漏極電流（ID）**：45A
8. **技術(shù)類(lèi)型**：溝槽（Trench）技術(shù)
9. **熱阻**：根據(jù)產(chǎn)品文檔提供的熱特性參數(shù)
10. **開(kāi)關(guān)速度**：適用于高頻切換，具體參數(shù)取決于應(yīng)用電路設(shè)計(jì)
11. **工作溫度范圍**：常見(jiàn)為-55°C至150°C，具體需參照產(chǎn)品規(guī)格書(shū)
**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例**
LNG10R180-VB MOSFET 適用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和電流控制的領(lǐng)域，常見(jiàn)的應(yīng)用場(chǎng)景包括：
1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**：該MOSFET可用于降壓和升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器，尤其是在汽車(chē)電子和便攜式設(shè)備中，高效率的功率管理要求低導(dǎo)通電阻以減少功率損耗。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**：在無(wú)刷直流電機(jī)（BLDC）和步進(jìn)電機(jī)的控制中，該器件能夠在高電流和電壓應(yīng)用中提供可靠的驅(qū)動(dòng)。
3. **電源管理模塊（PMM）**：在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心和高性能計(jì)算設(shè)備的電源模塊中，LNG10R180-VB 可用于優(yōu)化電源分配，提高系統(tǒng)整體效率。
4. **光伏逆變器**：在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中，MOSFET 用于逆變器部分的開(kāi)關(guān)控制，具備高速開(kāi)關(guān)能力的LNG10R180-VB適合用于處理來(lái)自太陽(yáng)能電池板的能量轉(zhuǎn)換。
5. **電池管理系統(tǒng)（BMS）**：尤其是在電動(dòng)汽車(chē)（EV）和儲(chǔ)能系統(tǒng)中，該MOSFET可以用于電池的充電與放電管理，確保電池組在不同電壓范圍內(nèi)的安全高效工作。
此款MOSFET 的多功能性和優(yōu)越的電性能使其在這些領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。
