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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LR024N-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: LR024N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、LR024N-VB產(chǎn)品簡介

LR024N-VB是一款采用Trench技術(shù)的單N溝道MOSFET,封裝形式為TO252。該器件設(shè)計用于高效的電源管理,具有60V的最大漏源電壓和±20V的柵源電壓承受能力。憑借其相對較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為85mΩ @ VGS=4.5V和73mΩ @ VGS=10V),LR024N-VB能夠以較低的功耗處理高達18A的連續(xù)漏極電流,適合用于各類功率電子應(yīng)用。該MOSFET的優(yōu)異性能使其在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中表現(xiàn)出色,特別是在需要高效和可靠性的場景中。

### 二、LR024N-VB詳細參數(shù)說明

- **器件類型**: N溝道MOSFET
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單一N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS = 4.5V
 - 73mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)類型**: Trench
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +175°C
- **功耗 (Ptot)**: 100W

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **汽車電子**
  - LR024N-VB的高電流處理能力和良好的熱性能使其適合用于汽車中的電源管理系統(tǒng),例如電動窗控制、LED照明驅(qū)動以及電機控制等。這些應(yīng)用需要高效的開關(guān)器件來確保安全和節(jié)能運行。

2. **電源轉(zhuǎn)換**
  - 在DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源適配器中,LR024N-VB可以用作開關(guān)管或同步整流器,其低RDS(ON)值能夠減少能量損耗,提高整體電源轉(zhuǎn)換效率。這對于需要高效能的消費電子設(shè)備、工業(yè)電源和服務(wù)器電源尤為重要。

3. **消費電子產(chǎn)品**
  - 該MOSFET在平板電腦、智能手機和筆記本電腦的電源管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色。它的高效率和小尺寸使其成為這些電池供電設(shè)備中理想的選擇,有助于延長電池使用壽命并提高設(shè)備性能。

4. **工業(yè)自動化**
  - 在工業(yè)控制領(lǐng)域,LR024N-VB可用于各種馬達驅(qū)動應(yīng)用和伺服控制系統(tǒng)中。其能夠處理高電流并保持低熱量,確保工業(yè)設(shè)備在惡劣條件下的可靠運行。

通過這些優(yōu)勢,LR024N-VB在多個高效電源管理和驅(qū)動應(yīng)用中展現(xiàn)出廣泛的適用性,成為現(xiàn)代電子產(chǎn)品中不可或缺的組成部分。

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