### LR024Z-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

LR024Z-VB 是一款單極N通道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），采用TO252封裝，設(shè)計(jì)用于高效能電力應(yīng)用。該器件的漏源電壓為60V，柵源電壓范圍為±20V，適用于各種電源管理和轉(zhuǎn)換場(chǎng)合。LR024Z-VB 的開啟閾值電壓為1.7V，確保其在較低的電壓下也能夠快速開啟。其導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在柵極電壓為4.5V時(shí)為85mΩ，而在10V時(shí)降至73mΩ，表現(xiàn)出優(yōu)良的導(dǎo)通性能，極大地降低了功耗，使其成為高效電源解決方案的理想選擇。

### LR024Z-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **極性配置**: 單N通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 85mΩ @ VGS=4.5V
 - 73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)類型**: Trench技術(shù)
- **應(yīng)用溫度范圍**: 適應(yīng)廣泛的工作環(huán)境，具有良好的熱穩(wěn)定性。

### LR024Z-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域及模塊

1. **電源管理系統(tǒng)**：LR024Z-VB 的低導(dǎo)通電阻和相對(duì)較高的漏極電流使其非常適合用于開關(guān)電源（SMPS）和DC-DC轉(zhuǎn)換器。它在這些應(yīng)用中能夠顯著降低能量損耗，提高電源的整體效率，尤其適用于對(duì)功率損耗敏感的設(shè)備。

2. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**：由于其優(yōu)越的性能，該MOSFET可用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源管理模塊，如筆記本電腦、平板電腦和智能手機(jī)的充電器。這種產(chǎn)品要求在小型化的同時(shí)提供高效的電源轉(zhuǎn)換。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**：LR024Z-VB 適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，如電動(dòng)工具和家用電器。其能夠承受高電流，并在較低的功耗下高效運(yùn)行，適合無刷直流電機(jī)（BLDC）和其他電機(jī)控制系統(tǒng)。

4. **汽車電子**：在汽車電子系統(tǒng)中，該MOSFET 可以用于電池管理系統(tǒng)（BMS）、車載充電器和電源分配模塊，保證系統(tǒng)的高效能與可靠性，特別是在電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車中。

LR024Z-VB 以其高性能和多功能性，成為高效電源解決方案中不可或缺的器件，廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域的電源管理與轉(zhuǎn)換模塊。