chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

LR220ATM-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): LR220ATM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### LR220ATM-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

LR220ATM-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專(zhuān)為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款MOSFET的漏源極電壓(VDS)可達(dá)到200V,適合用于高電壓環(huán)境的開(kāi)關(guān)電路。其柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍為±20V,確保在多種電源條件下穩(wěn)定工作。LR220ATM-VB 的閾值電壓(Vth)為3V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 245mΩ @ VGS = 10V)適中,使其在高效能量傳輸和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。采用溝槽技術(shù),LR220ATM-VB 具備出色的導(dǎo)電性能和低功耗特性,是電力電子領(lǐng)域的理想選擇。

### LR220ATM-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)名稱(chēng)         | 數(shù)值                           |
|------------------|--------------------------------|
| 封裝類(lèi)型         | TO252                          |
| MOSFET配置       | 單N溝道                        |
| 漏源極電壓 (VDS) | 200V                           |
| 柵極電壓 (VGS)   | ±20V                           |
| 閾值電壓 (Vth)   | 3V                             |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 245mΩ @ VGS = 10V             |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 10A                            |
| 技術(shù)              | 溝槽 (Trench) 技術(shù)             |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**  
  LR220ATM-VB 在電源轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)出色,尤其適合用于AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其高電壓額定值和適中的導(dǎo)通電阻使其能夠在高電壓條件下高效轉(zhuǎn)換電能,降低功耗并提高系統(tǒng)的可靠性。

2. **工業(yè)設(shè)備**  
  在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,LR220ATM-VB 可用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制模塊。其耐高電壓特性和相對(duì)高的電流承載能力使其能夠滿足工業(yè)設(shè)備中電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行時(shí)的要求,提供可靠的電源控制。

3. **電池管理系統(tǒng)**  
  LR220ATM-VB 也適用于電池管理系統(tǒng),尤其是在高壓電池組的充電和放電過(guò)程中。其穩(wěn)定的電流處理能力能夠確保系統(tǒng)在高電壓環(huán)境下安全運(yùn)行,減少能量損失并延長(zhǎng)電池的使用壽命。

4. **照明控制**  
  該MOSFET 可用于照明控制模塊,特別是在高功率LED驅(qū)動(dòng)電路中。通過(guò)控制LED的電流,LR220ATM-VB 能夠?qū)崿F(xiàn)高效的照明調(diào)節(jié),確保系統(tǒng)在高電壓和高功率環(huán)境中的穩(wěn)定性和效率。

LR220ATM-VB 的設(shè)計(jì)和性能使其成為多個(gè)領(lǐng)域的理想選擇,特別是在需要高電壓和高效能量管理的應(yīng)用中。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    352瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    319瀏覽量