chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 77 粉絲

LR220TF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: LR220TF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:

LR220TF-VB 是一款高電壓、高性能的單N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),封裝在TO252型封裝中。該MOSFET的最大漏源電壓(VDS)為200V,適用于高電壓應(yīng)用場合,能夠處理高達(dá)10A的漏極電流(ID)。其柵源電壓(VGS)范圍為±20V,開啟電壓(Vth)為3V。在柵源電壓為10V時,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為245mΩ。這種優(yōu)良的性能使LR220TF-VB在高效開關(guān)應(yīng)用中具備了優(yōu)異的功率轉(zhuǎn)換能力,適合各種電子設(shè)備和電源管理系統(tǒng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**: TO252
- **極性**: N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 200V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 245mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)**: 溝槽(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊:

1. **高電壓開關(guān)電源(SMPS)**:LR220TF-VB的200V漏源電壓能力和低導(dǎo)通電阻使其在開關(guān)電源應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠有效地提高電源效率,減少功率損耗,非常適合用于大功率電源和工業(yè)設(shè)備。

2. **LED驅(qū)動電路**:該MOSFET能夠穩(wěn)定驅(qū)動高功率LED,確保照明設(shè)備在不同工作條件下的高效運行,廣泛應(yīng)用于商業(yè)照明、建筑照明和汽車照明等領(lǐng)域。

3. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:LR220TF-VB適合在電池充放電過程中提供有效的電流控制,保證電池的安全與高效,尤其是在電動車和儲能系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛。

4. **電機驅(qū)動和控制**:此器件適用于直流電機和步進(jìn)電機驅(qū)動,能夠處理高電壓和高電流,確保電機在各種條件下的穩(wěn)定運行,是機器人和工業(yè)自動化系統(tǒng)的理想選擇。

5. **功率開關(guān)和負(fù)載控制**:LR220TF-VB能夠用作高功率負(fù)載開關(guān),廣泛應(yīng)用于家電、通信設(shè)備和各種工業(yè)控制系統(tǒng)中,提供高效可靠的開關(guān)解決方案。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    151瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    129瀏覽量