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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LR6225-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: LR6225-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 2.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡介:

LR6225-VB 是一款高性能的 **N 溝道功率 MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,專為高電流和高開關(guān)頻率的應(yīng)用設(shè)計。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為 **20V**,支持高達(dá) **±20V** 的柵源電壓 (VGS)。LR6225-VB 的柵極閾值電壓 (Vth) 范圍為 **0.5V 至 1.5V**,能夠在較低的柵極驅(qū)動電壓下實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)通。其導(dǎo)通電阻為 **3.5mΩ@VGS=2.5V** 和 **2.5mΩ@VGS=4.5V**,在 **120A 的漏極電流 (ID)** 下表現(xiàn)出色,確保了最低的能量損耗。這款 MOSFET 采用 **Trench 技術(shù)**,具有優(yōu)越的導(dǎo)電性能,非常適合電源管理和高頻開關(guān)電路。

### 2. 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:20V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3.5mΩ @ VGS=2.5V
 - 2.5mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**:120A
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **最大功耗 (Ptot)**:依賴于散熱設(shè)計與應(yīng)用場景(TO252 封裝下的散熱管理)

### 3. 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:

LR6225-VB MOSFET 在多個 **電力電子領(lǐng)域** 中具有廣泛的應(yīng)用,特別是在高電流和高效率的場合,例如:

- **電源管理系統(tǒng)**:該 MOSFET 非常適用于開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠高效地管理電能轉(zhuǎn)換,降低能量損耗,特別是在需要大電流輸出的場合下表現(xiàn)優(yōu)異。

- **電動機(jī)驅(qū)動**:在無刷直流電機(jī)(BLDC)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動應(yīng)用中,LR6225-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠有效控制電機(jī)的啟動和運(yùn)行,確保功率輸出的穩(wěn)定性。

- **逆變器**:LR6225-VB 適用于光伏發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中的逆變器,能夠高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,并在變化的負(fù)載條件下提供穩(wěn)定的電能輸出。

- **汽車電子**:在電動汽車和混合動力汽車的電氣系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用于電池管理系統(tǒng)和電源分配模塊,能夠處理高電流需求,從而提高系統(tǒng)的能效和安全性。

通過這些特點(diǎn),LR6225-VB 在高效率、低功耗和高電流的應(yīng)用場合中,能夠提供卓越的性能和可靠性。

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