--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### LR7807ZC-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
LR7807ZC-VB 是一款高效的單極N通道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),封裝采用TO252,專(zhuān)為中高電流和低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源電壓(VDS)為30V,柵源電壓范圍為±20V,能夠滿(mǎn)足多種電源管理和轉(zhuǎn)換需求。LR7807ZC-VB 的開(kāi)啟閾值電壓(Vth)為1.7V,允許在較低的柵電壓下迅速開(kāi)啟,提高了開(kāi)關(guān)效率。在柵電壓為4.5V時(shí),其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為9mΩ,而在10V時(shí)降至7mΩ。這種低導(dǎo)通電阻特性使得LR7807ZC-VB 能夠支持高達(dá)70A的漏極電流,在高負(fù)載應(yīng)用中提供出色的性能并降低功耗。
### LR7807ZC-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**: TO252
- **極性配置**: 單N通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開(kāi)啟閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)類(lèi)型**: Trench技術(shù)
- **應(yīng)用溫度范圍**: 適應(yīng)廣泛的工作環(huán)境,具有良好的熱穩(wěn)定性。
### LR7807ZC-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域及模塊
1. **電源管理系統(tǒng)**:LR7807ZC-VB 非常適合用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等電源管理應(yīng)用。這些應(yīng)用需要高效率和低功耗,LR7807ZC-VB 的低導(dǎo)通電阻能夠有效減少能量損失,提高系統(tǒng)效率。
2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)中,如無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)和步進(jìn)電機(jī),LR7807ZC-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其在高負(fù)載條件下表現(xiàn)出色,能夠提供穩(wěn)定和高效的驅(qū)動(dòng)。
3. **汽車(chē)電子**:LR7807ZC-VB 適用于電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)的電池管理系統(tǒng)(BMS)、充電模塊以及動(dòng)力傳輸系統(tǒng)。這種MOSFET 能夠在高電流和低電壓的環(huán)境下可靠工作,確保車(chē)輛的整體性能和安全性。
4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:在手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等消費(fèi)電子設(shè)備的電源模塊中,LR7807ZC-VB 可用于電源分配和充電器設(shè)計(jì)。其高效能和低發(fā)熱特性使其適合于小型化設(shè)計(jì)和高效電源解決方案。
LR7807ZC-VB 以其優(yōu)越的性能和靈活的應(yīng)用場(chǎng)景,成為電源管理和控制模塊中不可或缺的元件,廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電子設(shè)備和系統(tǒng)中。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛