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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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LR7811WC-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): LR7811WC-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

LR7811WC-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),封裝在TO252型封裝中。該MOSFET的最大漏源電壓(VDS)為30V,適用于低至中等電壓的開關(guān)應(yīng)用。其柵源電壓(VGS)可達(dá)±20V,開啟電壓(Vth)為1.7V。在柵源電壓為10V時(shí),其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))低至2mΩ,在4.5V時(shí)為3mΩ,能夠支持高達(dá)100A的連續(xù)漏極電流(ID)。這種優(yōu)異的性能使LR7811WC-VB在各類電源管理和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,尤其適合高效能的電源轉(zhuǎn)換和控制電路。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**: TO252
- **極性**: N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: 溝槽(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊:

1. **高效電源轉(zhuǎn)換器**:LR7811WC-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器,這些轉(zhuǎn)換器廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備和工業(yè)電源,能夠顯著提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:該MOSFET能夠承受高電流并具有較低的功率損耗,適合在電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理系統(tǒng)中使用,以提高能量使用效率并延長(zhǎng)電池壽命。

3. **LED照明**:LR7811WC-VB 適用于高功率LED驅(qū)動(dòng)電路,能夠穩(wěn)定輸出高電流,確保LED在不同工作條件下的亮度一致性和穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于商業(yè)照明、建筑照明和汽車照明等領(lǐng)域。

4. **電機(jī)控制**:該MOSFET 可用于電機(jī)控制應(yīng)用,如無刷直流電機(jī)(BLDC)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng),能夠提供高效的開關(guān)控制,確保電機(jī)的高效運(yùn)行和響應(yīng)速度。

5. **家電和消費(fèi)電子產(chǎn)品**:由于其出色的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,LR7811WC-VB 也適合在家電和消費(fèi)電子產(chǎn)品中作為功率開關(guān)使用,提升設(shè)備的整體性能和能效。

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