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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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LR7833C-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): LR7833C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、LR7833C-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**  
LR7833C-VB是一款采用TO252封裝的單N溝道功率MOSFET,適用于需要高效功率管理和開(kāi)關(guān)性能的應(yīng)用場(chǎng)景。它具備30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),其柵極閾值電壓(Vth)為1.7V。這款MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在柵極電壓為4.5V時(shí)為3mΩ,而在10V時(shí)僅為2mΩ,最大連續(xù)漏極電流(ID)為120A。憑借先進(jìn)的溝槽技術(shù)(Trench Technology),LR7833C-VB能夠在高電流和低導(dǎo)通損耗的條件下實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電氣性能。

**二、LR7833C-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**  
- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道  
- **漏源電壓(VDS)**:30V  
- **柵源電壓(VGS)**:±20V  
- **柵極閾值電壓(Vth)**:1.7V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 2mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流(ID)**:120A  
- **技術(shù)**:溝槽(Trench)技術(shù)  
- **工作溫度范圍**:-55°C至+150°C  
- **功耗**:典型功耗設(shè)計(jì)上支持高達(dá)約120W的應(yīng)用。  

**三、LR7833C-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:**  
1. **電源管理系統(tǒng)**:在服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)、筆記本電腦等設(shè)備的電源模塊中,LR7833C-VB適用于降壓轉(zhuǎn)換器和同步整流電路,因其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,可提高系統(tǒng)效率并減少功耗。  
2. **電動(dòng)汽車與混合動(dòng)力汽車(EV/HEV)**:該器件適用于汽車的電池管理系統(tǒng)和直流-直流轉(zhuǎn)換器等模塊,能夠在高電流環(huán)境下提供穩(wěn)定的電力傳輸,減少功率損耗。  
3. **電機(jī)控制系統(tǒng)**:在工業(yè)和消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,MOSFET可用于控制高效電機(jī)的啟停和速度調(diào)節(jié),尤其在需要快速切換和高效的直流電機(jī)控制系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛。  
4. **通信設(shè)備**:LR7833C-VB適合用于基站、路由器和網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等通信設(shè)備的電源管理和功率放大模塊,能在保障信號(hào)穩(wěn)定傳輸?shù)耐瑫r(shí)減少能耗。  
5. **家用電器**:適用于高效節(jié)能的家用電器中,如空調(diào)、洗衣機(jī)等的逆變器和驅(qū)動(dòng)電路,能夠提升能源利用率并延長(zhǎng)設(shè)備壽命。  

綜上所述,LR7833C-VB憑借其高效的功率處理能力、低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)控制和電動(dòng)汽車等多個(gè)領(lǐng)域。

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