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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LR8103-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: LR8103-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:  
LR8103-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 溝道 MOSFET,適用于需要高效開關(guān)和低導(dǎo)通損耗的應(yīng)用。其具備 30V 的漏源極耐壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源極耐壓 (VGS),并且具有 100A 的連續(xù)漏極電流 (ID),使其能夠在較高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色。該器件的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 非常低,分別為 3mΩ (VGS=4.5V) 和 2mΩ (VGS=10V),適用于低電壓、高電流的電源管理和切換應(yīng)用。其采用先進的 Trench 技術(shù),確保了高效率的功率傳輸和低導(dǎo)通損耗。

### 參數(shù)說明:
1. **封裝 (Package)**: TO252  
2. **配置 (Configuration)**: 單 N 溝道  
3. **漏源極耐壓 (VDS)**: 30V  
4. **柵源極耐壓 (VGS)**: ±20V  
5. **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.7V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
  - 3mΩ @ VGS=4.5V  
  - 2mΩ @ VGS=10V  
7. **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 100A  
8. **技術(shù) (Technology)**: Trench 技術(shù)  
9. **最大功耗 (Power Dissipation)**: 取決于具體設(shè)計和散熱條件  
10. **工作溫度范圍 (Operating Temperature Range)**: 通常在 -55°C 到 175°C 之間

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:  
1. **電源管理模塊**:LR8103-VB 可用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用,依靠其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,能夠在功率轉(zhuǎn)換中減少損耗,提高效率,尤其適合低電壓高電流的負(fù)載環(huán)境。  
2. **電動工具**:高達(dá) 100A 的電流容量和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于電動工具中,能有效減少熱損耗,延長電池續(xù)航時間,提供穩(wěn)定的電力輸出。  
3. **電動汽車控制單元**:在電動汽車的控制系統(tǒng)中,MOSFET 用于電機驅(qū)動電路或電池管理系統(tǒng),LR8103-VB 能通過高效的開關(guān)特性幫助降低能耗,增加整體系統(tǒng)效率。  
4. **電機驅(qū)動模塊**:對于低壓、大電流的電機驅(qū)動,LR8103-VB 可提供快速的開關(guān)速度和低損耗的導(dǎo)通路徑,從而在高負(fù)荷的驅(qū)動系統(tǒng)中保持系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效性。  
5. **消費電子**:LR8103-VB 也廣泛應(yīng)用于需要低損耗、高效率的消費電子設(shè)備,如筆記本電腦、智能家居設(shè)備等,通過降低能耗幫助提高設(shè)備的運行效率。

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