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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LSG01N65-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: LSG01N65-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 4300mΩ@VGS=10V
  • ID 2A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介
LSG01N65-VB是一款高性能N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝設(shè)計,專為高電壓應(yīng)用而優(yōu)化。其額定漏源電壓(VDS)為650V,適合處理高電壓條件下的電源管理和功率轉(zhuǎn)換。該器件在4.5V柵極電壓(VGS)下的導通電阻(RDS(ON))為3440mΩ,而在10V柵極電壓下,導通電阻為4300mΩ。最大漏電流(ID)為2A,確保其在多種應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。LSG01N65-VB采用平面技術(shù)(Plannar),為現(xiàn)代電子設(shè)備提供高效的電流控制解決方案,適合多種苛刻的工作環(huán)境。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**:LSG01N65-VB
- **封裝形式**:TO252
- **配置**:單N通道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3440mΩ(@ VGS=4.5V)
 - 4300mΩ(@ VGS=10V)
- **最大漏電流 (ID)**:2A
- **技術(shù)**:平面技術(shù)(Plannar)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:LSG01N65-VB非常適合用于AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,特別是在需要高電壓處理的應(yīng)用,例如電源適配器、充電器和開關(guān)電源,能夠提供穩(wěn)定的電流輸出和有效的能量轉(zhuǎn)換。

2. **小型電動機驅(qū)動**:該MOSFET可以用于控制小型電動機,例如風扇和泵,提供高電壓下的高效驅(qū)動,確保設(shè)備在各種工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。

3. **照明控制**:在LED照明模塊中,LSG01N65-VB可以作為開關(guān)元件,有效控制LED的電流輸出,適合于大功率LED驅(qū)動電路,確保高壓下的安全運行。

4. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:該器件適用于工業(yè)自動化設(shè)備的電源管理,作為高電壓開關(guān)元件,能夠在高電流條件下有效控制負載,確保系統(tǒng)的高效運作。

5. **可再生能源**:LSG01N65-VB可用于太陽能逆變器和風能發(fā)電系統(tǒng)中,幫助實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和管理,提升可再生能源設(shè)備的整體效率。

LSG01N65-VB MOSFET的高電壓和高電流處理能力使其成為現(xiàn)代電氣設(shè)備中關(guān)鍵的組件,為電源管理、照明控制和工業(yè)應(yīng)用提供高效可靠的解決方案。

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