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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LSG65R930GT-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): LSG65R930GT-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### LSG65R930GT-VB 產(chǎn)品簡介

LSG65R930GT-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 可達(dá) 650V,柵源電壓 (VGS) 范圍為 ±30V。其柵極閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,適合在高電壓條件下操作。在 VGS = 10V 時(shí),導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 1000mΩ,最大漏極電流 (ID) 為 5A。這使得 LSG65R930GT-VB 在高效能要求的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### LSG65R930GT-VB 的詳細(xì)參數(shù)說明

1. **封裝類型**:TO252
2. **溝道配置**:單 N 溝道
3. **漏源電壓 (VDS)**:650V
4. **柵源電壓 (VGS)**:±30V
5. **柵極閾值電壓 (Vth)**:3.5V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
  - 1000mΩ @ VGS = 10V
7. **最大漏極電流 (ID)**:5A
8. **技術(shù)類型**:多結(jié)襯底技術(shù) (SJ_Multi-EPI)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **電源管理系統(tǒng)**:LSG65R930GT-VB 被廣泛應(yīng)用于電源管理系統(tǒng)中,特別是在開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中。其高電壓承受能力和較低的導(dǎo)通電阻確保了能量轉(zhuǎn)換過程中的高效性,降低了能量損耗,提升了整體性能。

2. **電動(dòng)工具**:在電動(dòng)工具的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于控制電機(jī)的開關(guān),提供高效的電流調(diào)節(jié),確保設(shè)備在不同負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行,尤其適合高功率電動(dòng)工具。

3. **逆變器**:LSG65R930GT-VB 適合用于逆變器應(yīng)用,特別是在可再生能源系統(tǒng)(如太陽能和風(fēng)能逆變器)中,能夠?qū)⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為高效的交流電,為家庭和工業(yè)提供清潔能源。

4. **LED 照明系統(tǒng)**:該 MOSFET 也可用于 LED 驅(qū)動(dòng)電源,幫助控制電流,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的 LED 輸出,確保照明系統(tǒng)的高效性和長壽命,適合于商業(yè)和住宅照明解決方案。

5. **電池管理和充電系統(tǒng)**:LSG65R930GT-VB 在電池管理系統(tǒng)中用于控制電池的充放電過程,保障電池在高電壓下的安全操作,延長電池壽命,特別是在電動(dòng)汽車和儲(chǔ)能設(shè)備中具有重要應(yīng)用。

LSG65R930GT-VB 作為一款高性能的 MOSFET,憑借其卓越的電氣性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為現(xiàn)代電力電子產(chǎn)品中不可或缺的組成部分。

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