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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MDD2605RH-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: MDD2605RH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、MDD2605RH-VB 產(chǎn)品簡介
MDD2605RH-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為需要低導通電阻和高電流處理能力的應用設計。該器件具有最大漏源電壓(VDS)為30V,柵源電壓(VGS)可達±20V,適合在各種電源管理和開關應用中使用。它的導通電阻(RDS(ON))在VGS為4.5V時為6mΩ,而在VGS為10V時則降至5mΩ,這使得該MOSFET在高頻率和大電流下表現(xiàn)出色,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率。因此,MDD2605RH-VB 是電源轉(zhuǎn)換、電動機驅(qū)動和負載開關等應用的理想選擇。

### 二、MDD2605RH-VB 詳細參數(shù)說明
- **型號**: MDD2605RH-VB
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N通道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS=4.5V 時:6mΩ
 - VGS=10V 時:5mΩ
- **最大漏極電流(ID)**: 80A
- **技術類型**: Trench(溝槽技術)
- **最大功耗**: 175W(典型值)
- **工作溫度范圍**: -55°C ~ +150°C

### 三、應用領域及模塊舉例
MDD2605RH-VB 的高性能特性使其適用于多個領域和模塊,具體如下:

1. **電源管理系統(tǒng)**:在開關電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET能夠有效降低導通損耗,提高電源效率,適合應用于筆記本電腦電源適配器和服務器電源模塊。

2. **負載開關控制**:MDD2605RH-VB 可用于高功率負載的開關控制,如在工業(yè)設備、電動工具等中實現(xiàn)高效的電源分配和保護功能。

3. **電動機控制系統(tǒng)**:該器件在電動機驅(qū)動器中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠處理較大的工作電流,適用于電動汽車、機器人及家電電機控制等領域。

4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:在電池充放電控制中,MDD2605RH-VB 的低導通電阻和高電流能力能夠有效提升電池的使用效率和壽命,特別適用于電動車和儲能系統(tǒng)。

5. **汽車電子模塊**:該MOSFET 適合用于汽車電子領域,例如動力分配、照明控制及電子負載開關等,提高汽車電氣系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

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