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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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ME30N10-G-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): ME30N10-G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
  • ID 40A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、ME30N10-G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介  
ME30N10-G-VB 是一款高效的**單 N-溝道 MOSFET**,采用 **TO-252** 封裝,專(zhuān)為中高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為 **100V**,適用于高電壓環(huán)境下的開(kāi)關(guān)和電源管理。該器件的柵源電壓(VGS)可達(dá) ±20V,閾值電壓(Vth)為 **1.8V**,使得在較低柵壓下即可導(dǎo)通。ME30N10-G-VB 采用**Trench(溝槽型)技術(shù)**,在 VGS 為 4.5V 時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 **35mΩ**,在 VGS 為 10V 時(shí)為 **30mΩ**,可承載最大連續(xù)電流(ID)為 **40A**,確保高效能和低功耗,適合多種應(yīng)用場(chǎng)景。

### 二、ME30N10-G-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明  
| **參數(shù)名稱(chēng)**         | **數(shù)值**            | **單位**   | **說(shuō)明**                                   |
|---------------------|-------------------|-----------|-------------------------------------------|
| **封裝類(lèi)型**         | TO-252            | -         | 表面貼裝封裝,適合高密度 PCB 設(shè)計(jì)           |
| **通道配置**         | 單 N 溝道           | -         | 適用于開(kāi)關(guān)和電源管理應(yīng)用                     |
| **最大漏源電壓 (VDS)** | 100               | V         | 最大承受的漏極-源極電壓                     |
| **最大柵源電壓 (VGS)** | ±20               | V         | 柵極-源極電壓的安全工作范圍                 |
| **閾值電壓 (Vth)**    | 1.8               | V         | 器件開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)的最小柵極電壓                 |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**| 35                | mΩ        | VGS=4.5V 時(shí)的導(dǎo)通電阻                      |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**| 30                | mΩ        | VGS=10V 時(shí)的導(dǎo)通電阻                       |
| **最大連續(xù)電流 (ID)** | 40                | A         | 最大連續(xù)漏極電流                          |
| **技術(shù)類(lèi)型**         | Trench            | -         | 溝槽型技術(shù),提升電流密度并降低導(dǎo)通電阻       |
| **工作溫度范圍**     | -55 ~ 150         | ℃         | 器件的安全工作溫度區(qū)間                     |
| **安裝方式**         | 表面貼裝           | -         | 便于自動(dòng)化生產(chǎn)和小型化 PCB 設(shè)計(jì)              |

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例  

1. **電源管理系統(tǒng)**  
  ME30N10-G-VB 適用于**開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**和**DC-DC 轉(zhuǎn)換器**,能夠在高電壓下高效切換,適合電源適配器和充電器等設(shè)備,確保良好的能效和可靠性。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**  
  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該 MOSFET 可用作**電動(dòng)機(jī)控制模塊**的開(kāi)關(guān),適合于自動(dòng)化設(shè)備和機(jī)器人等領(lǐng)域,其高電流承載能力確保電動(dòng)機(jī)穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **汽車(chē)電子**  
  ME30N10-G-VB 可廣泛應(yīng)用于**汽車(chē)電子設(shè)備**中,如電源分配和負(fù)載開(kāi)關(guān),處理高電壓和大電流場(chǎng)景,例如電動(dòng)窗戶(hù)和座椅調(diào)節(jié)器等。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**  
  在消費(fèi)電子領(lǐng)域,該器件適用于**LED 驅(qū)動(dòng)器**和其他小型電源管理應(yīng)用,確保高效能和緊湊設(shè)計(jì),使其適合于便攜式設(shè)備和小型家電。

總之,ME30N10-G-VB 由于其出色的電氣性能和高效的開(kāi)關(guān)能力,廣泛適用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車(chē)電子和消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域。

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