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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MECP01-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: MECP01-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

一、MECP01-VB 產品簡介
MECP01-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為需要高電流和高電壓的應用而設計。該器件的最大漏源電壓(VDS)為 60V,支持的柵源電壓(VGS)范圍為 ±20V,適合廣泛的電源管理和開關應用。其導通閾值電壓(Vth)為 1.7V,在 VGS=4.5V 時的導通電阻(RDS(ON))為 85mΩ,在 VGS=10V 時降低至 73mΩ,使得該 MOSFET 在最大漏極電流可達 18A 時表現出色。MECP01-VB 采用Trench 技術,其低導通電阻和高開關速度,使其成為高效能電源模塊和驅動電路的理想選擇。

二、MECP01-VB 詳細參數說明
參數名稱 數值 單位 說明
封裝類型 TO252 - 適合表面貼裝的封裝,便于自動化生產
通道配置 單 N 溝道 - 提供單一 N 溝道配置,適合多種電源管理應用
最大漏源電壓 (VDS) 60 V 可承受的最大漏極-源極電壓
最大柵源電壓 (VGS) ±20 V 柵極-源極的電壓限制范圍
閾值電壓 (Vth) 1.7 V 開始導通的最低柵極電壓
導通電阻 (RDS(ON)) 85 mΩ VGS=4.5V 時的導通電阻
導通電阻 (RDS(ON)) 73 mΩ VGS=10V 時的導通電阻
最大連續(xù)電流 (ID) 18 A 漏極最大連續(xù)電流,適合中等功率負載應用
技術類型 Trench - 溝槽技術,提供低損耗和高開關速度
工作溫度范圍 -55 ~ 150 ℃ 寬工作溫度范圍,適用于各種環(huán)境條件
安裝方式 表面貼裝 - 適合現代電路板設計,節(jié)省空間
三、應用領域與模塊示例
電源管理系統(tǒng)
MECP01-VB 可用于電源管理系統(tǒng),尤其適合在開關電源和 DC-DC 轉換器中,提供高效的電力控制和電流開關功能,確保電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

電池充電器
該 MOSFET 廣泛應用于電池充電器中,能夠高效控制充電過程,適用于手機、平板電腦及其他便攜式設備的快速充電。

電動工具
MECP01-VB 也適合用于電動工具,其高電流能力和低導通電阻確保了工具的高效能和持久運行,適合于各種電機驅動和開關應用。

LED 照明系統(tǒng)
此器件適合用于LED 照明系統(tǒng),能有效控制 LED 的開關,提供高效的電力輸出,廣泛應用于商業(yè)和家庭照明。

工業(yè)自動化設備
MECP01-VB 還適用于工業(yè)自動化設備,可用于電機驅動、傳感器控制和其他各種高效能電源應用,幫助提升設備的性能和能效。

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