--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 12mΩ@VGS=10V
- ID 55A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、MI454-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
MI454-VB是一款高性能**N溝道MOSFET**,其采用**TO252**封裝設(shè)計(jì),專門(mén)用于低電壓和高電流的應(yīng)用。該器件具有**漏極-源極電壓(VDS)**為40V,支持高達(dá)**±20V的柵極-源極電壓(VGS)**,使其在多種電子應(yīng)用中具有廣泛的適用性。**閾值電壓(Vth)**為2.5V,確??焖俚拈_(kāi)啟響應(yīng),有助于提高系統(tǒng)的整體效率。其**導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**在4.5V和10V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下分別為14mΩ和12mΩ,能夠有效降低能量損耗。最大**漏極電流(ID)**為55A,使其適用于需要高功率輸出的應(yīng)用。MI454-VB采用了先進(jìn)的**溝槽(Trench)技術(shù)**,在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,是電源管理、汽車電子和消費(fèi)電子等領(lǐng)域的理想選擇。
---
### 二、MI454-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| **參數(shù)** | **數(shù)值** | **說(shuō)明** |
|-------------------------|----------------------------|------------------------------------------|
| **封裝** | TO252 | 適合散熱性能要求較高的應(yīng)用 |
| **溝道類型** | 單N溝道 | 提供高效開(kāi)關(guān)控制 |
| **VDS** | 40V | 漏極-源極電壓上限,適合中低壓應(yīng)用 |
| **VGS** | ±20V | 柵極-源極電壓范圍,提供靈活性 |
| **Vth(閾值電壓)** | 2.5V | 確??焖夙憫?yīng),提升開(kāi)關(guān)效率 |
| **RDS(ON)** | 14mΩ(@VGS=4.5V) | 提升電流效率,降低損耗 |
| | 12mΩ(@VGS=10V) | 在高電壓下仍能保持低導(dǎo)通電阻 |
| **ID(最大漏極電流)** | 55A | 支持高電流負(fù)載,適合多種應(yīng)用 |
| **技術(shù)工藝** | Trench(溝槽) | 提高開(kāi)關(guān)效率,降低功耗 |
| **工作溫度范圍** | -55°C ~ 150°C | 滿足各種環(huán)境下的工作要求 |
---
### 三、MI454-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **電源管理系統(tǒng)**
MI454-VB廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中,能夠有效控制輸入和輸出電壓,確保系統(tǒng)穩(wěn)定性和高效能。其低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)可顯著降低功率損耗,提升整體能效。
2. **LED驅(qū)動(dòng)電路**
該MOSFET在LED照明應(yīng)用中表現(xiàn)出色,作為開(kāi)關(guān)器件可以穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高功率LED,提供可靠的亮度輸出,同時(shí)減少熱量產(chǎn)生,延長(zhǎng)LED的使用壽命。
3. **電機(jī)控制應(yīng)用**
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,MI454-VB可用于控制直流電機(jī)的啟停及調(diào)速。其高電流能力使其適用于小型電機(jī)和伺服電機(jī)的高效驅(qū)動(dòng)。
4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**
在如智能家居、便攜式設(shè)備等消費(fèi)電子產(chǎn)品中,該MOSFET可以用于負(fù)載開(kāi)關(guān),確保設(shè)備在待機(jī)模式下的低功耗運(yùn)行,提升用戶體驗(yàn)。
5. **汽車電子**
MI454-VB適用于汽車的電源管理模塊,如電池管理系統(tǒng)(BMS)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,能夠承受汽車環(huán)境下的高溫和振動(dòng),確保長(zhǎng)期可靠性。
6. **工業(yè)控制系統(tǒng)**
在工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中,該MOSFET能夠提供高效的開(kāi)關(guān)控制,確保對(duì)各種傳感器和執(zhí)行器的精確控制,有助于提升生產(chǎn)效率和降低能耗。
通過(guò)其卓越的性能,MI454-VB在多個(gè)領(lǐng)域均有廣泛的應(yīng)用,成為設(shè)計(jì)師開(kāi)發(fā)高效能電子系統(tǒng)的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛