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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NTD25P03L1G-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NTD25P03L1G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 33mΩ@VGS=10V
  • ID -38A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:NTD25P03L1G-VB

NTD25P03L1G-VB是一款高性能的P通道MOSFET,采用TO252封裝,專為負(fù)電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏極-源電壓(VDS)為-30V,適合用于需要負(fù)電源的電路。閾值電壓(Vth)為-1.7V,使其在較低的柵極電壓下迅速開(kāi)啟。該MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS為4.5V時(shí)為46mΩ,而在VGS為10V時(shí)為33mΩ,確保高效的電流傳導(dǎo)能力,最大持續(xù)漏極電流(ID)為-38A。采用Trench技術(shù),該器件具有良好的開(kāi)關(guān)性能和熱管理能力。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **型號(hào)**:NTD25P03L1G-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:Single-P-Channel
- **最大漏極-源電壓 (VDS)**:-30V
- **柵極-源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 46mΩ @ VGS=4.5V
 - 33mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:-38A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:

1. **電源管理**:
  NTD25P03L1G-VB廣泛應(yīng)用于電源開(kāi)關(guān)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,能夠在負(fù)電源應(yīng)用中提供高效能和低功耗,提升電源轉(zhuǎn)換效率。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  該MOSFET適用于電動(dòng)機(jī)控制電路,能夠有效控制直流電動(dòng)機(jī)的反轉(zhuǎn)和啟停,應(yīng)用于電動(dòng)工具和小型電動(dòng)車輛。

3. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:
  NTD25P03L1G-VB在負(fù)載開(kāi)關(guān)電路中表現(xiàn)出色,能夠安全有效地控制負(fù)載的接通和斷開(kāi),適合用于家電和工業(yè)設(shè)備。

4. **音頻放大器**:
  在音頻應(yīng)用中,該MOSFET可以作為輸出級(jí)開(kāi)關(guān),提升音頻放大器的性能,確保信號(hào)的高效傳輸。

5. **高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用**:
  由于其優(yōu)良的開(kāi)關(guān)特性,NTD25P03L1G-VB適合用于高頻開(kāi)關(guān)電路,如射頻放大器和通信設(shè)備中的功率開(kāi)關(guān)。

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