chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

NTD3055-094T4G-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NTD3055-094T4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**NTD3055-094T4G-VB**是一款高效能的單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專(zhuān)為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其額定漏源電壓為60V,具有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻特性,使其在電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。該器件使用Trench技術(shù),能夠提供快速的開(kāi)關(guān)速度和低能耗,滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)效率和性能的需求。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: NTD3055-094T4G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **漏源電壓(VDS)**: 60V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS = 4.5V
 - 73mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流(ID)**: 18A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:
  - NTD3055-094T4G-VB可用于高效的開(kāi)關(guān)電源和電源轉(zhuǎn)換器中,其低導(dǎo)通電阻能夠顯著提升能效,適合高負(fù)載應(yīng)用。

2. **電動(dòng)交通工具**:
  - 在電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)自行車(chē)的電機(jī)控制系統(tǒng)中,該MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件,提供高效的電流控制,實(shí)現(xiàn)快速啟停和穩(wěn)定性能。

3. **LED驅(qū)動(dòng)**:
  - 該器件適用于LED驅(qū)動(dòng)電路,有效調(diào)節(jié)LED的電流,確保穩(wěn)定的亮度輸出,適合各種照明應(yīng)用。

4. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
  - NTD3055-094T4G-VB可作為DC-DC轉(zhuǎn)換器中的主開(kāi)關(guān),支持高轉(zhuǎn)換效率,適用于便攜式設(shè)備和電池供電系統(tǒng)。

5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:
  - 在智能家居設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品中,該MOSFET可以?xún)?yōu)化電源管理,提高設(shè)備的整體能效和續(xù)航能力。

憑借其卓越的性能和廣泛的適用性,NTD3055-094T4G-VB成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    345瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    316瀏覽量