### 產(chǎn)品簡介
NTD4302T4G-VB是一款高效的N溝道MOSFET，采用TO252封裝，設計用于要求高導電性和快速開關能力的應用。該產(chǎn)品采用先進的Trench技術，提供極低的導通電阻，適合高頻和高電流場合，確保系統(tǒng)的高效能和穩(wěn)定性。
### 詳細參數(shù)說明
- **配置**: 單個N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 6mΩ（VGS=4.5V），5mΩ（VGS=10V）
- **最大漏電流 (ID)**: 80A
- **技術**: Trench技術
### 應用領域
NTD4302T4G-VB廣泛應用于電源管理、DC-DC轉換器和電動機驅動等多個領域。在消費電子設備（如手機和筆記本電腦）、汽車電子系統(tǒng)以及工業(yè)自動化設備中，憑借其卓越的導電性和穩(wěn)定性，有效提升了整體能效和性能，滿足了嚴苛的應用需求。
