### 產品簡介
NTD4806NAT4G-VB是一款高效能N溝道MOSFET，采用TO252封裝，設計用于高電流和低導通電阻應用。它的卓越開關性能和極低的導通電阻使其在各種電源管理和轉換應用中表現(xiàn)出色，適合在苛刻的工作條件下使用。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單一N通道
- **VDS（漏極-源極電壓）**: 30V
- **VGS（柵極-源極電壓）**: ±20V
- **Vth（閾值電壓）**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 3mΩ（@VGS=4.5V），2mΩ（@VGS=10V）
- **ID（最大連續(xù)漏電流）**: 100A
- **技術**: Trench技術
### 應用領域和模塊
NTD4806NAT4G-VB廣泛應用于電源管理、DC-DC轉換器、電機驅動和電池管理等領域。在電源管理模塊中，該MOSFET能夠實現(xiàn)高效能量轉換；在DC-DC轉換器中，它提供穩(wěn)定的電流輸出；在電機控制系統(tǒng)中，能可靠驅動高電流負載；在電池管理系統(tǒng)中，確保高效的充電和放電過程，以優(yōu)化能量利用。
