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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NTD4856NT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NTD4856NT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NTD4856NT4G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

NTD4856NT4G-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高效率和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其 VDS 為 30V,能夠在多種工作條件下提供出色的導(dǎo)電性和低的導(dǎo)通電阻。該器件的優(yōu)越性能使其適用于多個(gè)工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域,特別是在電源管理、驅(qū)動(dòng)電路和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: NTD4856NT4G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 N 通道
- **VDS (漏源電壓)**: 30V
- **VGS (柵源電壓)**: ±20V
- **Vth (閾值電壓)**: 1.7V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通電阻)**:
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **ID (最大漏電流)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**: NTD4856NT4G-VB 可用于高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,尤其是在需要高電流和低功耗的場(chǎng)合。由于其低導(dǎo)通電阻,能夠有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 該 MOSFET 適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,例如直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。它能在高頻切換下保持穩(wěn)定的性能,確保電機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)行。

3. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**: 在移動(dòng)設(shè)備和家電中,NTD4856NT4G-VB 可作為電源開(kāi)關(guān),優(yōu)化電源分配,延長(zhǎng)電池壽命,并提高設(shè)備的整體性能。

4. **功率轉(zhuǎn)換**: 在太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)能轉(zhuǎn)換器等可再生能源應(yīng)用中,利用其高效能和高電流處理能力,該 MOSFET 能有效提升轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

通過(guò)這些應(yīng)用實(shí)例,可以看出 NTD4856NT4G-VB 在多種高要求環(huán)境中的重要性,證明其作為高效能 MOSFET 的地位。

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