--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 20V
- VGS 20(±V)
- Vth 0.5~1.5V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
- ID 100A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### NTD4858NAG-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NTD4858NAG-VB 是一款高效的 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封裝,專(zhuān)為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。憑借其出色的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)能力,該型號(hào)在電源管理、開(kāi)關(guān)控制及其他高效能電子設(shè)備中表現(xiàn)優(yōu)異。其最大漏極電流可達(dá) 100A,使其在多種高功率應(yīng)用中具有極佳的適應(yīng)性。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 20V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=2.5V
- 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **開(kāi)關(guān)電源**: NTD4858NAG-VB 適用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS),能夠高效地實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換并降低系統(tǒng)功耗,適合各種電源管理方案,如計(jì)算機(jī)電源和充電器。
2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用中,該 MOSFET 可以處理高電流,確保電動(dòng)機(jī)在不同負(fù)載下的穩(wěn)定運(yùn)行,廣泛用于工業(yè)自動(dòng)化和家用電器的驅(qū)動(dòng)控制。
3. **LED 驅(qū)動(dòng)**: 此 MOSFET 在 LED 照明系統(tǒng)中可以作為高效的開(kāi)關(guān)元件,控制 LED 的亮滅和調(diào)光功能,適合于節(jié)能照明和智能家居解決方案。
4. **電池管理系統(tǒng)**: NTD4858NAG-VB 能夠高效管理電池電流流向,確保電池的安全性和可靠性,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)和便攜式電子設(shè)備中。
5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**: 由于其高性能和低功耗特性,該 MOSFET 在消費(fèi)電子產(chǎn)品中有廣泛應(yīng)用,包括智能手機(jī)、平板電腦和其他電子設(shè)備的電源管理,提升設(shè)備的能效和使用壽命。
通過(guò)這些應(yīng)用示例,NTD4858NAG-VB 展現(xiàn)了其在多種領(lǐng)域的廣泛適用性和重要性,成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中不可或缺的關(guān)鍵組件。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛