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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NTD4906NT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NTD4906NT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**NTD4906NT4G-VB** 是一款高效能N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為中等電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件具有出色的導(dǎo)通性能和低導(dǎo)通電阻,使其在高頻開關(guān)電源和功率管理應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。NTD4906NT4G-VB的最大漏源電壓為30V,最大連續(xù)漏電流為80A,適合各種電源轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: NTD4906NT4G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 80A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理系統(tǒng)**: NTD4906NT4G-VB的低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器,能夠在減少功耗的同時(shí)提高系統(tǒng)整體效率,適用于移動(dòng)設(shè)備和計(jì)算機(jī)電源模塊。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用**: 此MOSFET可用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),例如電動(dòng)車輛和工業(yè)機(jī)器人,支持高電流操作,確??焖夙憫?yīng)和高效能。

3. **汽車電子**: 在汽車電源管理和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)中,NTD4906NT4G-VB可實(shí)現(xiàn)高效的功率控制,提升電動(dòng)汽車的整體性能和能效。

4. **LED照明**: 利用其快速開關(guān)特性,該MOSFET可用于LED驅(qū)動(dòng)器,提供高效能的照明解決方案,適合各種商業(yè)和家用照明應(yīng)用。

5. **通信設(shè)備**: 在無(wú)線基站和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中,NTD4906NT4G-VB可用于功率放大和電源管理,確保設(shè)備在高負(fù)載下穩(wěn)定工作。

通過這些應(yīng)用,NTD4906NT4G-VB展現(xiàn)了其在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中的重要性。

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