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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NTD4959NHT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NTD4959NHT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**NTD4959NHT4G-VB**是一款高效的單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其額定漏源電壓為30V,具備極低的導(dǎo)通電阻,確保在各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效能和低熱量產(chǎn)生。該器件采用Trench技術(shù),具有快速開關(guān)響應(yīng)和卓越的電能效率,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)性能和可靠性的高要求。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: NTD4959NHT4G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流(ID)**: 80A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:
  - NTD4959NHT4G-VB廣泛應(yīng)用于高效開關(guān)電源和電源轉(zhuǎn)換器,憑借其低導(dǎo)通電阻,顯著提升系統(tǒng)效率,減少能量損耗,適合高負(fù)載條件下的運(yùn)行。

2. **電動(dòng)交通工具**:
  - 在電動(dòng)汽車及電動(dòng)摩托車的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該MOSFET作為高效開關(guān)元件,提供快速響應(yīng)和高功率密度,優(yōu)化整體驅(qū)動(dòng)性能和續(xù)航能力。

3. **LED驅(qū)動(dòng)**:
  - 該器件適用于LED驅(qū)動(dòng)電路,能夠精確調(diào)節(jié)LED電流,確保亮度一致性,廣泛應(yīng)用于照明和顯示模塊中。

4. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
  - NTD4959NHT4G-VB可用作DC-DC轉(zhuǎn)換器中的主要開關(guān),支持高效的能量轉(zhuǎn)換,適合便攜式電子設(shè)備和電池供電系統(tǒng),提升整體能效。

5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:
  - 在智能家居設(shè)備及其他消費(fèi)電子產(chǎn)品中,該MOSFET優(yōu)化電源管理,提升設(shè)備的整體能效,確保持續(xù)穩(wěn)定的性能和優(yōu)質(zhì)的用戶體驗(yàn)。

憑借其卓越的性能和廣泛的適用性,NTD4959NHT4G-VB成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中的理想選擇。

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