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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NTD4959NT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NTD4959NT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NTD4959NT4G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

NTD4959NT4G-VB 是一款高效能的 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封裝,專(zhuān)為多種電源管理和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。其 VDS 為 30V,具備良好的熱性能和低導(dǎo)通電阻,使其在高電流場(chǎng)合中表現(xiàn)優(yōu)異。此款 MOSFET 通過(guò)優(yōu)化的 Trench 技術(shù),確保在高頻操作下提供可靠的性能,適合用于現(xiàn)代電子設(shè)備的各種應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: NTD4959NT4G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 N 通道
- **VDS (漏源電壓)**: 30V
- **VGS (柵源電壓)**: ±20V
- **Vth (閾值電壓)**: 1.7V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通電阻)**:
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **ID (最大漏電流)**: 80A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**: NTD4959NT4G-VB 可用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源適配器,提供低導(dǎo)通電阻以提高轉(zhuǎn)換效率,特別適合需要高電流輸出的應(yīng)用。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,該 MOSFET 可用于控制直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī),支持高頻開(kāi)關(guān)操作,確保電機(jī)在不同負(fù)載下的平穩(wěn)運(yùn)行。

3. **消費(fèi)電子**: 在智能手機(jī)、平板電腦和其他消費(fèi)電子產(chǎn)品中,NTD4959NT4G-VB 作為電源開(kāi)關(guān),能夠有效降低功耗并延長(zhǎng)電池使用壽命,提升用戶(hù)體驗(yàn)。

4. **可再生能源**: 在太陽(yáng)能逆變器和電池管理系統(tǒng)中,此款 MOSFET 的高效能使其能夠有效處理電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中的高功率,保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

通過(guò)這些應(yīng)用示例,可以看出 NTD4959NT4G-VB 在電源管理和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的重要性,證明其作為高效能 MOSFET 的廣泛適用性。

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