### NTD5406NG-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NTD5406NG-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，采用 TO252 封裝，專為中高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。憑借其 Trench 技術(shù)，該器件提供極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)越的開關(guān)特性，適合在多種電源管理和高功率場(chǎng)合中使用。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **VDS**: 40V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: 2.5V
- **RDS(ON)**: 6mΩ (VGS=4.5V) / 5mΩ (VGS=10V)
- **ID**: 85A
- **技術(shù)**: Trench
### 適用領(lǐng)域和模塊
NTD5406NG-VB 在電源管理模塊中應(yīng)用廣泛，包括 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器，特別適用于需要高電流和中高電壓的場(chǎng)合。此外，它還適合于電池管理系統(tǒng)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的功率放大器。憑借其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，這款 MOSFET 能夠確保系統(tǒng)在高效能和高可靠性下穩(wěn)定運(yùn)行。