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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NVD6416ANT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NVD6416ANT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
  • ID 25A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NVD6416ANT4G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

NVD6416ANT4G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封裝,專(zhuān)為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件能夠承受最高 100V 的漏源電壓,并具備高達(dá) 25A 的最大漏電流。結(jié)合其相對(duì)較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),NVD6416ANT4G-VB 在電源管理和開(kāi)關(guān)電路中表現(xiàn)優(yōu)異。該產(chǎn)品的設(shè)計(jì)旨在提高系統(tǒng)效率和熱管理性能,使其在多種電子設(shè)備中成為理想選擇。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**: TO252
- **配置**: 單個(gè) N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 57mΩ @ VGS=4.5V
 - 55mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**: 25A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:
  - NVD6416ANT4G-VB 非常適合用于高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源模塊,尤其在工業(yè)電源、通信設(shè)備和電力供應(yīng)中,能夠有效降低能耗并提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  - 由于其高電壓和中等電流承載能力,該 MOSFET 適合于各種電機(jī)控制應(yīng)用,例如電動(dòng)工具和家用電器,能夠提供快速的開(kāi)關(guān)響應(yīng)和可靠的驅(qū)動(dòng)性能。

3. **LED 驅(qū)動(dòng)**:
  - 在 LED 照明解決方案中,NVD6416ANT4G-VB 可作為高效驅(qū)動(dòng)元件,確保穩(wěn)定的電流輸出,提高亮度和延長(zhǎng) LED 壽命。

4. **消費(fèi)電子**:
  - 該器件適用于智能手機(jī)、平板電腦等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的電源管理系統(tǒng),優(yōu)化充電效率并提升用戶體驗(yàn)。

5. **開(kāi)關(guān)電路**:
  - NVD6416ANT4G-VB 的低導(dǎo)通電阻使其非常適合于多種開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源開(kāi)關(guān),能夠在高負(fù)載條件下保持穩(wěn)定性能,提升系統(tǒng)整體效率。

通過(guò)這些應(yīng)用領(lǐng)域的示例,NVD6416ANT4G-VB 展示出其在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中的廣泛適用性和高效能,能夠滿足多種高要求的電氣需求。

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