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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NVD6820NLT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): NVD6820NLT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 80V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 75A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NVD6820NLT4G-VB 產(chǎn)品簡介

NVD6820NLT4G-VB是一款高效能的單極性N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏極源極電壓(VDS)為80V,適用于各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。該器件的閾值電壓(Vth)為3V,確保在多種驅(qū)動(dòng)條件下的可靠運(yùn)行。導(dǎo)通電阻為5mΩ(在VGS=10V下),有效降低了開關(guān)損耗,提升了整體能效。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: NVD6820NLT4G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單極性N溝道
- **漏極源極電壓(VDS)**: 80V
- **柵極源極電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 
 - 5mΩ(VGS=10V)
- **最大漏極電流(ID)**: 75A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理**: NVD6820NLT4G-VB廣泛應(yīng)用于高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源,能夠高效地進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換與分配,適合用于電源適配器和充電器。

2. **電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**: 此MOSFET可作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān),提升電機(jī)的效率和性能,特別適合用于電動(dòng)工具和電動(dòng)汽車。

3. **LED照明**: 由于其極低的導(dǎo)通電阻,該器件非常適合于LED驅(qū)動(dòng)電路,能夠穩(wěn)定控制LED電流,提高亮度并延長使用壽命。

4. **汽車電子**: 在汽車電子應(yīng)用中,NVD6820NLT4G-VB可用于電池管理系統(tǒng)和動(dòng)力分配,提高系統(tǒng)的可靠性和整體性能。

5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**: 此MOSFET在智能家居設(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品中同樣表現(xiàn)出色,為設(shè)計(jì)者提供高效能和緊湊設(shè)計(jì)的解決方案,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的需求。

憑借其卓越性能,NVD6820NLT4G-VB在多個(gè)領(lǐng)域中展現(xiàn)出其重要性,為各種電子應(yīng)用提供可靠的支持。

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