**P0550AD-VB 產品簡介：**
P0550AD-VB是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO252封裝，具有650V的漏源電壓和30V的柵源電壓范圍。該器件采用SJ_Multi-EPI技術，能夠在高電壓應用中提供低導通電阻和高效能，非常適合用于電源管理和開關控制。
**詳細參數說明：**
- **VDS（漏源電壓）：** 650V
- **VGS（柵源電壓）：** ±30V
- **Vth（閾值電壓）：** 3.5V
- **RDS(ON)（導通電阻）：** 1000mΩ @ VGS=10V
- **ID（最大漏電流）：** 5A
- **技術類型：** SJ_Multi-EPI
**適用領域與模塊：**
P0550AD-VB適用于各種高電壓應用，包括開關電源、直流-直流轉換器以及工業(yè)自動化控制系統(tǒng)。在LED驅動器和電機控制模塊中，它能有效提供穩(wěn)定的開關性能和低損耗，從而提高系統(tǒng)的整體效率。該MOSFET的高電壓和高電流能力使其在電源管理和能源轉換領域中非常受歡迎。
