chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 77 粉絲

P0604BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: P0604BD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### P0604BD-VB 產(chǎn)品簡介

P0604BD-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電流和中等電壓應(yīng)用設(shè)計。該器件具有最高 40V 的漏源電壓和 85A 的最大漏電流,結(jié)合極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),使其在電源管理和開關(guān)電路中表現(xiàn)卓越。P0604BD-VB 的設(shè)計重點在于高效率和優(yōu)良的熱管理性能,適合多種電子應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單個 N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=4.5V
 - 5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**: 85A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:
  - P0604BD-VB 非常適合用于高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源模塊,能夠在電源適配器、工業(yè)電源和通信設(shè)備中實現(xiàn)高能效,降低能量損耗,確保設(shè)備在高負(fù)載下穩(wěn)定運行。

2. **電機(jī)驅(qū)動**:
  - 由于其高電流承載能力,該 MOSFET 可用于電機(jī)控制應(yīng)用,如電動工具和自動化設(shè)備,提供快速的開關(guān)響應(yīng)和高效驅(qū)動,適合各類電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)。

3. **LED 驅(qū)動**:
  - 在 LED 照明解決方案中,P0604BD-VB 可作為高效驅(qū)動元件,確保穩(wěn)定的電流輸出,提高亮度并延長 LED 壽命,為照明系統(tǒng)提供可靠支持。

4. **消費電子**:
  - 該器件適用于智能手機(jī)、平板電腦及其他消費電子產(chǎn)品的電源管理,優(yōu)化充電效率并提升用戶體驗,確保設(shè)備在不同工作狀態(tài)下的高效性能。

5. **開關(guān)電路**:
  - P0604BD-VB 的低導(dǎo)通電阻使其適合多種開關(guān)應(yīng)用,如負(fù)載開關(guān)和電源開關(guān),能夠在高負(fù)載條件下穩(wěn)定運行,提高系統(tǒng)整體效率,適合用于工業(yè)和家電設(shè)備。

通過這些應(yīng)用領(lǐng)域的示例,P0604BD-VB 展示出其在現(xiàn)代電子設(shè)計中的廣泛適用性和高效能,能夠滿足多種高要求的電氣需求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    149瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    127瀏覽量