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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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P1606BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): P1606BD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
  • ID 58A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### P1606BD-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

P1606BD-VB是一款高性能的單極N溝道MOSFET,采用TO252封裝,具有優(yōu)良的電氣特性和高效率。這款MOSFET設(shè)計(jì)用于高電壓和大電流應(yīng)用,適用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。其先進(jìn)的Trench技術(shù)使其具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)能力,從而提高系統(tǒng)的整體性能和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:P1606BD-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)螛ON溝道
- **VDS(漏源電壓)**:60V
- **VGS(柵源電壓)**:±20V
- **Vth(閾值電壓)**:2.5V
- **RDS(ON)**:
 - 13mΩ @ VGS=4.5V
 - 10mΩ @ VGS=10V
- **ID(最大漏電流)**:58A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **開(kāi)關(guān)電源**:
  P1606BD-VB可用于高效的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì),提供穩(wěn)定的電壓和電流輸出,同時(shí)降低功耗和熱損耗。其低RDS(ON)特性有助于提高開(kāi)關(guān)效率。

2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
  該MOSFET在DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)異,特別是在要求快速開(kāi)關(guān)的應(yīng)用中,能夠有效降低轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  在電機(jī)控制模塊中,P1606BD-VB可以作為開(kāi)關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的高效驅(qū)動(dòng)。其高電流承載能力使其能夠滿足各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)的需求。

4. **LED驅(qū)動(dòng)電路**:
  在LED驅(qū)動(dòng)電路中,利用其高效開(kāi)關(guān)特性,可以實(shí)現(xiàn)更高的亮度和更長(zhǎng)的使用壽命,降低整體功耗。

5. **自動(dòng)化控制系統(tǒng)**:
  在工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器人控制系統(tǒng)中,該MOSFET可用于執(zhí)行器和傳感器的驅(qū)動(dòng),保證系統(tǒng)的快速響應(yīng)和高效運(yùn)行。

通過(guò)以上的介紹,P1606BD-VB展示了其在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中的多種應(yīng)用潛力,尤其是在需要高效能和高可靠性的場(chǎng)景中。

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