chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 77 粉絲

P2503BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: P2503BDG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### P2503BDG-VB 產(chǎn)品簡介

P2503BDG-VB是一款高性能的單極N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓和大電流應(yīng)用設(shè)計。這款MOSFET利用先進(jìn)的Trench技術(shù),具備極低的導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能,能夠有效提高系統(tǒng)的能效和可靠性。它特別適合用于高負(fù)載應(yīng)用,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:P2503BDG-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單極N溝道
- **VDS(漏源電壓)**:30V
- **VGS(柵源電壓)**:±20V
- **Vth(閾值電壓)**:1.7V
- **RDS(ON)**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **ID(最大漏電流)**:70A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:
  P2503BDG-VB非常適合用于電源管理應(yīng)用,尤其是在開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中。其低RDS(ON)特性能夠顯著降低功耗,提高整體轉(zhuǎn)換效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動**:
  在電機(jī)控制系統(tǒng)中,該MOSFET能夠高效驅(qū)動直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī),確??焖夙憫?yīng)和高效運(yùn)行,廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化和消費(fèi)電子產(chǎn)品中。

3. **LED驅(qū)動**:
  P2503BDG-VB在LED照明應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠穩(wěn)定驅(qū)動高功率LED,保證亮度輸出,并降低系統(tǒng)的熱損耗,提高使用壽命。

4. **汽車電子**:
  在汽車電子系統(tǒng)中,P2503BDG-VB可以用作開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)電源管理和控制功能,提供高效的能量傳輸,提升電動車輛的性能。

5. **高功率應(yīng)用**:
  此MOSFET適合于高功率應(yīng)用,如逆變器和電力轉(zhuǎn)換設(shè)備,能夠在高負(fù)載條件下保持良好的性能,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

P2503BDG-VB展示了其在多種高電壓和大電流應(yīng)用中的潛力,尤其是在需要高效能和高可靠性的場合。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    149瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    127瀏覽量