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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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MAVR-000120-12030W 變?nèi)荻O管

型號: MAVR-000120-12030W

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 零件號 MAVR-000120-12030W
  • 伽瑪 1.00
  • 總電容(pF) 0.350
  • 擊穿電壓(V) 15
  • 包裹 倒裝芯片

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
MACOM 的 MA46H120 系列是一種砷化鎵倒裝芯片超突變變?nèi)荻O管。這些器件是在 OMCVD 外延片上制造的,采用的工藝旨在實現(xiàn)高器件均勻性和極低寄生效應(yīng)。MA46H120 二極管采用氮化硅完全鈍化,并具有額外的聚酰亞胺層用于防刮擦。保護(hù)涂層可防止在自動或手動處理過程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。

MAVR-000120-12030W

 

 

特性
用于線性調(diào)整的恒定 Gamma
表面貼裝配置
聚酰亞胺防刮擦
氮化硅鈍化
高Q
低寄生電容

 

產(chǎn)品規(guī)格
零件號MAVR-000120-12030W
描述GaAs 超突變
簡短的介紹GaAs 超突變
伽瑪1.00
總電容(pF)0.350
品質(zhì)因數(shù) @ 50 MHz,最小值3000
擊穿電壓(V)15
包裹倒裝芯片
包裝類別表面貼裝芯片


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