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QPD2160D 分立式 GaAs 芯片

型號: QPD2160D

--- 產(chǎn)品詳情 ---

QPD2160D 

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 QPD2160D 是一款分立式 1600 微米 pHEMT,工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2160D 采用 Qorvo 經(jīng)驗證的標準 0.25um 功率 pHEMT 生產(chǎn)工藝設計。該工藝采用先進技術,可在高漏極偏壓工作條件下優(yōu)化微波功率和效率。QPD2160D 通常在 P1dB 時提供 32.5dBm 的輸出功率,在 1dB 壓縮時具有 10.4dB 的增益和 63% 的功率附加效率。這種性能使 QPD2160D 適合高效應用。帶有氮化硅的保護涂層提供了一定程度的環(huán)境穩(wěn)健性和防刮擦保護。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 20,000
增益(分貝) 10.4
OP1dB (dBm) 32.5
飽和度(dBm) 32.5
噪聲系數(shù)(分貝) 1個
PAE (%) 63
電壓(伏) 8個
Idq (毫安) 258
包裝類型 死
包裝(毫米) 0.41 x 0.54 x 0.10

 

主要特征
頻率范圍:DC - 20 GHz
典型輸出功率 P1dB:32.5 dBm
12 GHz 時的典型增益:10.4 dB
12 GHz 時的典型 PAE:63%
12 GHz 時的典型 NF:1 dB
無過孔
技術:0.25 um GaAs pHEMT
芯片尺寸:0.41 x 0.54 x 0.10 毫米

 

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