--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 最低頻率(MHz) 1.2
- 最大頻率(MHz) 1.4
- 增益(分貝) 17
- 飽和度(dBm) 56.3
- 排水效率(%) 75
- 電壓(伏) 65
- Idq (毫安) 430
- 包裝類型 NI-400
- 包裝(毫米) 10.16 x 10.16 x 4.06
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 QPD1425 是一款 375W 分立式 GaN on SiC HEMT,工作頻率范圍為 1.2 至 1.4 GHz,通常提供 56.3dBm 的飽和輸出功率以及 17dB 的大信號增益和 75% 的漏極效率。
封裝內(nèi)的輸入預(yù)匹配可簡化外部電路板匹配并節(jié)省電路板空間。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)氣腔封裝,非常適合雷達(dá)應(yīng)用。該器件可支持 CW 和脈沖操作。
產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 1.2
最大頻率(MHz) 1.4
增益(分貝) 17
飽和度(dBm) 56.3
排水效率(%) 75
電壓(伏) 65
Idq (毫安) 430
包裝類型 NI-400
包裝(毫米) 10.16 x 10.16 x 4.06
主要特征
工作頻率范圍:1.2 - 1.4 GHz
飽和輸出功率 P SAT:56.3dBm
P SAT時的排水效率:75%
P SAT時的大信號增益:17 dB
偏置:V DS = +65V,I DQ = 430 mA
封裝類型:NI-400
封裝尺寸:10.16 x 10.16 x 4.06 毫米
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