--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 最低頻率(MHz) 直流電
- 最大頻率(MHz) 18,000
- 增益(分貝) 21
- 飽和度(dBm) 40.1
- PAE (%) 73.3
- 電壓(伏) 12 至 32
- Idq (毫安) 50 至 250
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 TGF2023-2-02 是一款分立式 2.5 mm GaN on SiC HEMT,工作頻率范圍為 DC 至 18 GHz。
TGF2023-2-02 通常提供 40.1 dBm 的飽和輸出功率,在 3 GHz 時具有 21 dB 的功率增益。最大功率附加效率為 73.3%,這使得 TGF2023-2-02 適合高效應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 18,000
增益(分貝) 21
飽和度(dBm) 40.1
PAE (%) 73.3
電壓(伏) 12 至 32
Idq (毫安) 50 至 250
主要特征
頻率范圍:直流至 18 GHz
3 GHz 時標(biāo)稱 Psat 為 40.1 dBm
73.3% 最大 PAE
21 dB 標(biāo)稱功率增益
偏置:V D = 12 至 32 V,I DQ = 50 - 250 mA
芯片尺寸:0.82 x 0.92 x 0.10 毫米
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