--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 最低頻率(MHz) 直流電
- 最大頻率(MHz) 14,000
- 增益(分貝) 19.2
- 飽和度(dBm) 50.5
- PAE (%) 70.5
- 電壓(伏) 12 至 32
- Idq (毫安) 400 至 2,000
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Qorvo 的 TGF2023-2-20 是基于 SiCHEMT 的分立式 20 mm GaN,工作頻率范圍為 DC 至 14 GHz。
TGF2023-2-20 通常提供 50.5 dBm 的飽和輸出功率,在 3 GHz 時(shí)具有 19.2 dB 的功率增益。最大功率附加效率為 70.5%,這使得 TGF2023-2-20 適合高效應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 14,000
增益(分貝) 19.2
飽和度(dBm) 50.5
PAE (%) 70.5
電壓(伏) 12 至 32
Idq (毫安) 400 至 2,000
主要特征
頻率范圍:直流至 14 GHz
3 GHz 時(shí)標(biāo)稱 Psat 為 50.5 dBm
70.5% 最大 PAE
19.2 dB 標(biāo)稱功率增益
偏置:V D = 12 至 32 V,I DQ = 400 - 2000 mA
芯片尺寸:0.82 x 4.56 x 0.10 毫米
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