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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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TGF2977-SM 分立式 GaN 射頻晶體管

型號: TGF2977-SM

--- 產品參數 ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 12,000
  • 增益(分貝) 13
  • 飽和度(dBm) 37.8
  • PAE (%) 50
  • 電壓(伏) 32
  • Idq (毫安) 25
  • 包裝類型 QFN
  • 包裝(毫米) 3×3

--- 產品詳情 ---

TGF2977-SM

產品簡介
Qorvo 的 TGF2977-SM 是一款 5 W (P3dB) 寬帶無可比擬的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN,可在 DC 至 12 GHz 和 32V 電源軌下運行。該器件采用行業(yè)標準 3x3mm QFN 封裝,非常適合軍用和民用雷達、陸地移動和軍用無線電通信、航空電子設備和測試儀器。該設備可以支持脈沖和線性操作。

 

產品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 12,000
增益(分貝) 13
飽和度(dBm) 37.8
PAE (%) 50
電壓(伏) 32
Idq (毫安) 25
包裝類型 QFN
包裝(毫米) 3×3

 

主要特征
頻率范圍:DC - 12 GHz
輸出功率 (P3dB):9.4 GHz 時為 6.0 W
線性增益:9.4 GHz 時典型值為 13 dB
典型 PAE3dB:9.4 GHz 時為 50%
工作電壓:32V
低熱阻封裝
CW 和脈沖能力
3 x 3 毫米封裝

 

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