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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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ZXGD3107N8 MOSFET 控制器

型號(hào): ZXGD3107N8

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn)
  • 合規(guī)性 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電源電壓 V CC 40伏
  • 靜態(tài)電源電流 (mA 1.79毫安
  • 漏極電壓 V D 200伏
  • 操作模式 DCM CrCM CCM
  • 開(kāi)關(guān)頻率 (kHz) ≤500 kHz
  • 比例柵極驅(qū)動(dòng)控制 是的
  • 開(kāi)啟時(shí)間 T ON 70 納秒
  • 關(guān)斷閾值電壓 (mV 10毫伏
  • 關(guān)斷延遲時(shí)間 15納秒
  • 柵極源極電流 4安
  • 柵極灌電流 9安

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXGD3107N8

 
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXGD3107N8同步控制器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)MOSFET作為理想的整流器。這是為了取代二極管以提高功率傳輸效率。比例柵極驅(qū)動(dòng)控制監(jiān)控 MOSFET 的反向電壓,這樣如果體二極管發(fā)生導(dǎo)通,就會(huì)向 MOSFET 的柵極引腳施加正電壓。一旦將正電壓施加到柵極,MOSFET 就會(huì)導(dǎo)通,允許反向電流流動(dòng)。然后,控制器的輸出電壓與 MOSFET 漏源電壓成正比,并通過(guò)驅(qū)動(dòng)器施加到柵極。此操作可最大限度地減少體二極管傳導(dǎo),同時(shí)在漏極電流衰減至零時(shí)實(shí)現(xiàn)快速 MOSFET 關(guān)斷。

 

產(chǎn)品規(guī)格
符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 不
合規(guī)性(只有汽車支持 PPAP) 標(biāo)準(zhǔn)
電源電壓 V CC  (V) 40伏
靜態(tài)電源電流 (mA) 1.79毫安
漏極電壓 V D  (V) 200伏
操作模式 DCM CrCM CCM
開(kāi)關(guān)頻率 (kHz) ≤500 kHz
比例柵極驅(qū)動(dòng)控制 (Y|N) 是的
開(kāi)啟時(shí)間 T ON (ns) 70 納秒
關(guān)斷閾值電壓 (mV) 10毫伏
關(guān)斷延遲時(shí)間 TOFF (ns) 15納秒
柵極源極電流 I SOURCE (A) 4安
柵極灌電流 I SINK (A) 9安

 

主要特征
比例柵極驅(qū)動(dòng)可最大限度地減少體二極管傳導(dǎo)
靜態(tài)電源電流 < 1mA 的低待機(jī)功耗
4.5V 操作支持低電壓電源
40V VCC 額定值
200V 漏極電壓額定值
運(yùn)行頻率高達(dá) 500kHz
臨界傳導(dǎo)模式 (CrCM) 和連續(xù)模式 (CCM)
符合生態(tài)設(shè)計(jì)指令
完全無(wú)鉛且完全符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
不含鹵素和銻?!熬G色”設(shè)備

 

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