--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類別 低飽和晶體管
- 合規(guī)性 標(biāo)準(zhǔn)
- Polarity NPN
- VCEO, VCES 12
- IC (A) 6
- ICM (A) 15
- PD (W) 1.25
- fT (MHz) 260
- RCE(sat) 23
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXTN25012EFH 先進(jìn)的工藝能力和封裝設(shè)計(jì)已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設(shè)備的緊湊尺寸和額定值使其非常適合空間非常寶貴的應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
類別 低飽和晶體管
合規(guī)性(只有汽車支持 PPAP) 標(biāo)準(zhǔn)
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 12
IC (A) 6
ICM (A) 15
PD (W) 1.25
hFE (Min) 500
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 300
hFE (@ IC2) (A) 4
VCE(sat) Max (mV) 32
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 1/100
VCE(sat) (Max.2) (mV) 75
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/40
fT (MHz) 260
RCE(sat) (mΩ) 23
主要特征
高功耗SOT23封裝
高峰值電流
非常高的增益
低飽和電壓
6V反向阻斷電壓
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