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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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SDM1L30CSP 整流器 肖特基 二極管

型號(hào): SDM1L30CSP

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) SDM1L30CSP
  • 名稱 1A 肖特基二極管芯片
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 X2-WLB2010-2

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SDM1L30CSP 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 SDM1L30CSP 是一款 30V 1A 肖特基勢壘二極管,針對低正向電壓和軟開關(guān)特性進(jìn)行了優(yōu)化,以滿足無線充電應(yīng)用的需求。它采用緊湊的芯片級(jí)封裝 (CSP),僅占用 2mm 2電路板空間。它非常適合在便攜式應(yīng)用中使用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            SDM1L30CSP
名稱            1A 肖特基二極管芯片 
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝            X2-WLB2010-2


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
Configuration Single
MaximumAverageRectifiedCurrent IO(A) 1 A
@ TerminalTemperature TT (oC) N/A oC
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V) 30 V
Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A) 25 A
Forward Voltage Drop VF (V) 0.4 V
@ IF (A) 1 A
Maximum ReverseCurrent IR (μA) 1000 μA
@ VR (V) 30 V
TotalCapacitance CT (pF) 150 pF


主要特征
2平方毫米占地面積–比PowerDI123小67%
板外外形0.3mm–比PowerDI123薄70%
低正向電壓降降低功耗
軟開關(guān)特性確保EMI和EFI最小化
用于瞬態(tài)保護(hù)的保護(hù)環(huán)模具結(jié)構(gòu)

 

相關(guān)型號(hào)
SBL4060PTW
SBL6030PT
SBL6040PT
SBL6040PTW
SBL6050PT
SBL6060PT
SBL6060PTW
SDM05A30CP3
SDM05U20CSP
SDM05U20S3
SDM05U40CSP
SDM05U40CSPQ
SDM100K30L
SDM1100LP
SDM1100S1F
SDM160S1F
SDM1A40CP3
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SDM1L20DCP3
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SDM1U100S1F
SDM1U20CSP
 

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